• La série de sources térahertz TeraSense (diodes IMPATT) est représentée par des diodes à double dérive en silicium avec une zone de transit de 0,6 um, montées sur un dissipateur thermique en cuivre.
• Les couches des diodes à double dérive sont: une région fortement dopée (p +), une région modérément dopée, une région n modérément dopée et une région fortement dopée (n +). Les régions (p +) – et (n +) – permettent d’établir des contacts électriques ohmiques avec le circuit externe. L’appareil s’appuie sur une résistance négative pour générer et maintenir une oscillation.
• Les générateurs THz sont équipés d’un isolateur de protection, ce qui améliore considérablement la stabilité de la puissance de sortie.
Générateur Terahertz
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Modèles suivant la fréquences :
1-Source THz 100 GHz : Puissance RF de sortie~ 80 mW ,180 mW ,400 mW ,0,8 W /Antenne conique / Sortie de type bride /Isolateur protecteur /Modulation TTL.
2-Source THz 140 GHz : Puissance RF de sortie~ 30 mW ,90 mW ,180 mW /Antenne conique / Sortie de type bride /Isolateur protecteur /Modulation TTL.
3-Source THz 200 GHz : Puissance RF de sortie > 40 mW , 100 mW 200 mW /Antenne conique / Sortie de type bride /Isolateur protecteur /Modulation TTL.
4-Source THz 300 GHz : Puissance RF de sortie 290 GHz ~ 10 mW , 280 GHz> 20/40 mW /Antenne cornet diagonale / Sortie de type bride /Isolateur protecteur /Modulation TTL.
