Effet Hall dans les semi-conducteurs

Objectif :
Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall .
• Démonstration de l’effet Hall dans le germanium dopé.
• Mesure de la tension de Hall en fonction du courant et du champ magnétique à température ambiante.
• Détermination du signe, de la densité et de la mobilité des porteurs de charge à température ambiante.
• Mesure de la tension Hall en fonction de la température d’échantillon.
• Détermination de la température d’inversion et distinction entre la conduction extrinsèque et intrinsèque avec le germanium dopé p.

Contenu du kit :

1 Appareil de base à effet Hall 1009934
2 Ge dopé p sur plaque à circuit imprimé 1009810
2 Ge dopé n sur plaque à circuit imprimé 1009760
1 Ge non dopé sur plaque à circuit imprimé 1009935
2 Bobine D à 600 spires 1000988
2 Bobine D, 900 spires 1012859
1 Noyau en U modèle D 1000979
1 Paire de cosses et étrier élastique D 1009935
1 Support combiné pour eff et Hall 1019388
1 Teslamètre E 1008537
1 Capteur champs magn. à sonde Hall double 1001040
2 Multimètre Digital Portable (3 3/4 counts) GDM-398
3 Capteur Tension Sans fil PS-3211
1 « Logiciel PASCO Capstone UI-5401
15 fil de connexion 4mm- 100 cm – KLN-4-100
1 Alimentation Linéaire DC 18v .5A GPS-1850D
1 Transformateur 12 V, 60 VA (230 V, 50/60 Hz) 1020595

 

Fiche Technique en PDF

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